14场对阵表足彩 开关电源芯片关注骊微 电机驱动芯片收藏骊微 欢迎进入电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管、桥堆等电子元器件代理商--足彩竞彩单场 官网
高级搜索

搜索一

搜索二

充电管理IC方案
当前位置: 电源ic > 新闻中心 > 公司新闻old > 4953mos管双P沟道增强型MOSFET(-30V,-5.3A)

4953mos管双P沟道增强型MOSFET(-30V,-5.3A)

字号: T| T
文章出处:足彩竞彩单场 责任编辑:admin 人气:- 发表时间:2018-07-30 10:04
  4953mos管描述:  
  4953 mos管内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS(ON),做为负载开关被广泛应用于大屏显示,以及其他的消费电子产品中,采用SOP8的封装形式。
  
  4953 MOSFET特点:  
  ●Ids=?-3.0A,?RDS(ON)?=?85mΩ@VGS?=?-5V?  
  ●?高级的Trench加工技术  
  ●?高密度的单元设计??  
  ●封装形式:SOP8?
  
   4953mos管应用:在笔记本电脑的电源管理,便携设备和电池供电系统。
  
  4953mos管25℃极限参数和热特性电气参数:
产品中心 世界杯足彩俄罗斯酒鬼 联系我们